《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》兩本產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書圍繞全球碳化硅功率半導(dǎo)體及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r、關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展、國(guó)內(nèi)外各環(huán)節(jié)企業(yè)的區(qū)域分布，以及碳化硅和氮化鎵在各類終端市場(chǎng)的應(yīng)用進(jìn)展等方面進(jìn)行詳細(xì)梳理，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供參考借鑒。

依托在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)探索和實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，國(guó)星光電在白皮書中詳細(xì)展示了公司最新的技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)品布局及創(chuàng)新應(yīng)用的解決方案，攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴，凝聚各環(huán)節(jié)智慧力量，針對(duì)性地提出助推我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新思路、策略及建議。

2023年，國(guó)星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力，產(chǎn)品矩陣日益豐富：

國(guó)星光電已形成以TO封裝為主的SiC-SBD與SiC-MOS產(chǎn)品，相關(guān)產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于黑白家電、移動(dòng)儲(chǔ)能逆變器、新能源汽車等領(lǐng)域。

國(guó)星光電具備DFN與TO多種封裝形式，并結(jié)合應(yīng)用方案推出了控制+驅(qū)動(dòng)+GaN的集成化封裝器件，該器件可降低雜感，大幅簡(jiǎn)化外圍電路，可應(yīng)用于工業(yè)電源等領(lǐng)域。

基于第三代半導(dǎo)體，國(guó)星光電還推出了應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)的整體方案，其中快充墻插、60W/120W櫥柜燈驅(qū)動(dòng)電源、100W磁吸燈驅(qū)動(dòng)電源等產(chǎn)品已完成驗(yàn)證并出貨。

2023行家說(shuō)極光獎(jiǎng)“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”旨在表彰在SiC和GaN領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新、推廣應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等方面作出突出貢獻(xiàn)的企業(yè)和優(yōu)秀產(chǎn)品。斬獲該榮譽(yù)的是國(guó)星光電可應(yīng)用于新能源汽車的“內(nèi)絕緣分立器件技術(shù)方案及其產(chǎn)品”。

內(nèi)絕緣分立器件技術(shù)方案已實(shí)現(xiàn)了3大產(chǎn)品系列的的成果轉(zhuǎn)移，分別在TO-247 SiC系列、內(nèi)絕緣cascode GaN系列產(chǎn)品進(jìn)行了技術(shù)成果應(yīng)用。相關(guān)產(chǎn)品可提升終端應(yīng)用大功率器件的散熱能力，同時(shí)通過(guò)減少絕緣墊片的使用以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制程工藝，助力終端客戶實(shí)現(xiàn)降本增效。