股票代碼：002449
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵功率器件因在效率、頻率、體積等綜合方面優(yōu)勢(shì)顯著，在快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)率先放量，并在國(guó)內(nèi)外主流手機(jī)廠商布局的推動(dòng)下，滲透率持續(xù)提升。
近日，國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電成功開發(fā)出基于扇出面板級(jí)封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。
▲扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊尺寸僅為6×7×0.45mm
該模塊在封裝形式上取得新突破，相對(duì)于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積降低30%，使得整體封裝結(jié)構(gòu)更緊湊、產(chǎn)品性能更出色，可進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)品向小型化、輕薄化、高效化方向發(fā)展，為快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)應(yīng)用提供更優(yōu)的技術(shù)解決方案。
技術(shù)創(chuàng)新
塑造市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)新優(yōu)勢(shì)
風(fēng)華芯電此次推出的D-mode氮化鎵半橋模塊可更好地滿足消費(fèi)電子市場(chǎng)應(yīng)用產(chǎn)品集成度和小型化日益升級(jí)的需求。
模塊創(chuàng)新采用自主研發(fā)的扇出面板級(jí)封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實(shí)現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實(shí)現(xiàn)互連，達(dá)到4個(gè)功率管有效互連效果，并形成半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能優(yōu)勢(shì)，增強(qiáng)產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
▲D-mode氮化鎵半橋模塊扇出面板級(jí)封裝布線結(jié)構(gòu)示意圖
錨定“三優(yōu)”
賦能產(chǎn)品提質(zhì)增效
基于扇出面板級(jí)封裝形式，D-mode氮化鎵半橋模塊實(shí)現(xiàn)了“三優(yōu)”目標(biāo)：
▌性能更優(yōu)
由于扇出面板級(jí)封裝能夠在更狹小的空間內(nèi)完成更復(fù)雜電氣互連，更短的互連線路，使得整體模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)更緊湊，實(shí)現(xiàn)體積減少超67%，布板尺寸縮減30％。而且模塊的寄生電感、電阻更小，可充分發(fā)揮氮化鎵材料的高頻、高效率的特性，提升整體性能。
▲模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品相比布板尺寸縮減30％
為了驗(yàn)證模塊的優(yōu)越性能，風(fēng)華芯電將基于扇出面板級(jí)封裝的氮化鎵半橋模塊應(yīng)用于100W開關(guān)電源中，該開關(guān)電源整體尺寸為60×50×27mm，體積有效減少，且電源峰值效率可達(dá)到95%。
▲將模塊應(yīng)用于100W開關(guān)電源，驗(yàn)證產(chǎn)品體積及性能
在熱管理方面，開關(guān)電源在環(huán)境溫度為25℃、密封空間內(nèi)老化電源1小時(shí)后的條件下，模塊位置最高溫度為78.9℃，整個(gè)開關(guān)電源最高溫度86.4℃。模塊發(fā)熱量低且散熱快。
▌可靠性更優(yōu)
模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對(duì)比，開通速度提升17.59%，開通損耗下降10.7%。開關(guān)損耗的顯著降低，有利于產(chǎn)品進(jìn)一步減少熱應(yīng)力、提高電源效率與功率密度、優(yōu)化開關(guān)性能等，全面提升可靠性。
▲模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試及結(jié)果
▌綜合成本更優(yōu)
在原材料方面，模塊無(wú)需采用銅基板，有利于降低規(guī)模生產(chǎn)的封裝成本。同時(shí)，得益于模塊性能效率的提升和散熱需求的降低，可減少機(jī)構(gòu)件尺寸和散熱材料的使用，幫助控制系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)成本。
此外，模塊可與Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)便，其在保留氮化鎵材料最優(yōu)性能的同時(shí)具備最高硅MOSFET柵極可靠性，可為客戶提供高性能、高可靠性和高性價(jià)比的解決方案。
▲模塊驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)便，可適配多場(chǎng)景應(yīng)用
優(yōu)化布局
加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力
風(fēng)華芯電是國(guó)星光電布局化合物半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域的重要抓手，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、集成電路的研發(fā)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試和銷售。
今年以來，國(guó)星光電積極推進(jìn)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局優(yōu)化，通過與子公司風(fēng)華芯電半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)務(wù)進(jìn)行資源整合，形成業(yè)務(wù)協(xié)同、資源共享、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)發(fā)展新局面，加快培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。
▲風(fēng)華芯電點(diǎn)膠上芯車間
目前，風(fēng)華芯電已擁有20余條國(guó)際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體封裝測(cè)試自動(dòng)化生產(chǎn)線，可生產(chǎn)包括TO、SOT、SOD、SOP、TSSOP 、QFN 、DFN等在內(nèi)的20多個(gè)封裝系列，產(chǎn)品總數(shù)超1000件，可滿足第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封測(cè)市場(chǎng)多元化的應(yīng)用需求，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速國(guó)產(chǎn)化注入源源活力。
活動(dòng)預(yù)告
2024年11月8日-11日，中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEEC & CPSSC 2024）將于西安曲江國(guó)際會(huì)議中心舉行，風(fēng)華芯電將受邀出席會(huì)議并發(fā)表演講。
論文墻報(bào)展示：
■時(shí)間：11月9日 16:40-18:30
■論文墻報(bào)專題：《基于扇出面板級(jí)封裝的耗盡型氮化鎵半橋模塊》
■論文編號(hào)：C0432 論文組內(nèi)編號(hào)：DC9.157
工業(yè)報(bào)告演講：
■時(shí)間：11月11日 09:30-10:00
■演講主題：《高功率密度氮化鎵電源——無(wú)主燈創(chuàng)新解決方案》
■演講人：風(fēng)華芯電電源主任工程師 黃昌
歡迎業(yè)界同仁
共赴盛會(huì)，共話未來！
Copyright ? 2009 - 2021 佛山市國(guó)星光電股份有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備16100763號(hào)
